IBM-ov 2nm tranzistor ni nič manj kot čudež, vendar je trik v obliki in ne v velikosti

IBM je prejšnji teden predstavil, da je zgradil sposobnost, da čipom ponudi 2nm tranzistorje. Trenutna situacija z likovno umetnostjo je na splošno okoli 5 nm ali 7 nm, tako da je to neverjeten skok, kljub dejstvu, da ocenjevanje velikosti med popolnoma različnimi izdelovalci ni vedno pravilno.

Bolj v oči kot njihova velikost je, da bodo ti čipi verjetno razviti z domnevnim načrtom 'nanosheet'. Večina elegantnih tranzistorjev je v osnovi osnovana na 'FinFET', mestu, kjer se tok skozi polprevodnika razširi neposredno v ravnovesje. Nanosheet ali tranzistorji 'gate-all-around' to ravnotežje preobrnejo neposredno v kup specifičnih posameznih trakov, načrt pa bi moral biti sposoben nadgraditi energijsko učinkovitost in omogočiti dizajnom, da bistveno spremenijo {električne} lastnosti popolnoma različnih delov čipa. . FinFET je značilen že od leta 2011, zato je prikaz svežega novega modela polprevodnikov iz plastike smiselno ogromna ureditev v svetu polprevodnikov.



V pomembnem skoku naprej je IBM poročal o prvem tovrstnem 2nm čipu, ki je odvisen od inovacij nanoplastov. Organizacija je dejala, da bo ta čip pomagal pri napredovanju poslovanja s polprevodniki in upošteval zanimanje za razvoj čipov. 2nm procesorji lahko štirikrat podaljšajo življenjsko dobo baterije dlančnikov. Ob normalni uporabi bi baterija telefona lahko zdržala tudi štiri dni. Čip ponuja 45 % boljše in uporablja 75 % manj energije kot sedanji najbolj izjemni 7nm vozlišni čipi.

Mešanica sile/izvedbe pospešuje preobrat dogodkov in prenos prednjih intelektualnih, robnih in drugih računalniških stopenj, ki se prenašajo prek navzkrižnih pogojev v oblaku in pedala za šifriranje plina, ki delujejo za delo s kvantnimi osebnimi računalniki. 2nm nanotehnologija lahko obvezuje do 50 milijard tranzistorjev na čipu velikosti nohta. Več tranzistorjev na čipu bo ustvarjalcem omogočilo razvoj za vodilne odgovornosti, kot so umetna inteligenca, računalništvo v oblaku, strojno uveljavljena varnost in šifriranje.

IBM-ov novi prispevek je še v fazi preverjanja ideje in bi lahko minilo nekaj časa, preden bo komercialno dostopen. Trenutno IBM-ovi nasprotni organizaciji Samsung in TSMC v svojih livarnah dobavljata 5nm čipe. TSMC je že pred tem izjavil, da bo začel dobavljati 4nm čipe pred koncem leta 2021 in bo izvajal 3nm čipe neprekinjeno 50% leta 2022. Intelovi 7nm čipi so še v izdelavi.

Kako je IBM prišel do tega?

Izraz nanosheet je bil prvič uveden v laboratorijih IBM leta 2012, ko se je njegova skupina strokovnjakov ukvarjala z drugim inženiringom pripomočkov. Cilj je bil zgraditi ustrezno možnost za glavno strukturo nanožic. IBM-ova Eureka druga je spremljala inženiring nanolistov, ki je poleg debeline, potrebne za boljšo izvedbo, ponudil elektrostatične prednosti nanožice.

S to mešanico poudarkov so nanoplasti osvojili FinFET, prevladujočo polprevodniško strukturo na tistem mestu. Vsekakor se je posel hitro premikal mimo načrta FinFET. Načrtovalci so si prizadevali zapakirati več tranzistorjev, vendar je to povzročilo razlitje polprevodnikov.

Inovacija FinFET je dobila ime po konstrukciji FET in je podobna kupu rezil. Pri tej konstrukciji elektroni tečejo skozi lahka navpična rezila in ne ravno površino, da bi šli skozi tranzistorje. Nato spet nanoplasti zlagajo tranzistorje enega na drugega, da oblikujejo večplastne modele. Glavni 2nm polprevodnik je nov pripomoček z večpražnimi napetostmi (Multi-Vt) s stopnjami razlitja, ki presegajo velikosti treh vrst. Izdelovalcem omogoča, da izberejo vrhunsko stopnjo izvedbe.